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STGF19NC60KD

STGF19NC60KD

Nur als Referenz

Teilenummer STGF19NC60KD
PNEDA Teilenummer STGF19NC60KD
Beschreibung IGBT 600V 16A 32W TO220FP
Hersteller STMicroelectronics
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Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STGF19NC60KD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGF19NC60KD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGF19NC60KD, STGF19NC60KD Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 1.330,04 KB)
PDFSTGF19NC60KD Datenblatt Cover
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STGF19NC60KD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.75V @ 15V, 12A
Leistung - max32W
Schaltenergie165µJ (on), 255µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge55nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/105ns
Testbedingung480V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)31ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

STGP8NC60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRG4PC30UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

380µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/91ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

Leistung - max

1700W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

585nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/250ns

Testbedingung

480V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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