RGTV00TS65GC11
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| Teilenummer | RGTV00TS65GC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTV00TS65GC11 |
| Beschreibung | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.648 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGTV00TS65GC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTV00TS65GC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTV00TS65GC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 95A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 276W |
| Schaltenergie | 1.17mJ (on), 940µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 104nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 41ns/142ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max 417W Schaltenergie 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/110ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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