RGTV00TS65GC11
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| Teilenummer | RGTV00TS65GC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTV00TS65GC11 |
| Beschreibung | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.648 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGTV00TS65GC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTV00TS65GC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTV00TS65GC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 95A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 276W |
| Schaltenergie | 1.17mJ (on), 940µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 104nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 41ns/142ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 109A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 290W Schaltenergie 307µJ (on), 254µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/122ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.2V @ 15V, 75A Leistung - max 250W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PLUS-220SMD Lieferantengerätepaket PLUS-220SMD |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 96A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 161A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 32A Leistung - max 416W Schaltenergie 534µJ (on), 466µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 158nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/112ns Testbedingung 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
