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IXGV25N250S

IXGV25N250S

Nur als Referenz

Teilenummer IXGV25N250S
PNEDA Teilenummer IXGV25N250S
Beschreibung IGBT 2500V 60A 250W PLUS220SMD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.022
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGV25N250S Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGV25N250S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGV25N250S, IXGV25N250S Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 175,11 KB)
PDFIXGV25N250S Datenblatt Cover
IXGV25N250S Datenblatt Seite 2 IXGV25N250S Datenblatt Seite 3 IXGV25N250S Datenblatt Seite 4 IXGV25N250S Datenblatt Seite 5

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IXGV25N250S Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5.2V @ 15V, 75A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge75nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPLUS-220SMD
LieferantengerätepaketPLUS-220SMD

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

600µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/130ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 30A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1.93mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

263nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/337ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRGB4064DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.91V @ 15V, 10A

Leistung - max

101W

Schaltenergie

29µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/79ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

62ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGB30N6S2D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 70A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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