Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PSMN018-100ESFQ

PSMN018-100ESFQ

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN018-100ESFQ
PNEDA Teilenummer PSMN018-100ESFQ
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 19 - Feb 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PSMN018-100ESFQ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN018-100ESFQ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PSMN018-100ESFQ, PSMN018-100ESFQ Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 250,41 KB)
PDFPSMN018-100ESFQ Datenblatt Cover
PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 2 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 3 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 4 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 5 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 6 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 7 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 8 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 9 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 10 PSMN018-100ESFQ Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PSMN018-100ESFQ Datasheet
  • where to find PSMN018-100ESFQ
  • Nexperia

  • Nexperia PSMN018-100ESFQ
  • PSMN018-100ESFQ PDF Datasheet
  • PSMN018-100ESFQ Stock

  • PSMN018-100ESFQ Pinout
  • Datasheet PSMN018-100ESFQ
  • PSMN018-100ESFQ Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PSMN018-100ESFQ Price
  • PSMN018-100ESFQ Distributor

PSMN018-100ESFQ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.53A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.4nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1482pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)111W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK
Paket / FallTO-220-3, Short Tab

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MSC080SMA120J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1.2kV

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227 (ISOTOP®)

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

AOD4146

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta), 55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2440pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 62W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

EPC2036

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 1A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.91nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die

IXFC96N15P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™ HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 48A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

Paket / Fall

ISOPLUS220™

IPD65R380C6ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 320µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

JANTX1N6642U

JANTX1N6642U

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 300MA D5B

MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

EKXG401ELL820MM25S

EKXG401ELL820MM25S

United Chemi-Con

CAP ALUM 82UF 20% 400V RADIAL

1SMB5925BT3G

1SMB5925BT3G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 10V 3W SMB

W25X20CLSNIG

W25X20CLSNIG

Winbond Electronics

IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC

TSV912IDT

TSV912IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

EPM1270F256C5N

EPM1270F256C5N

Intel

IC CPLD 980MC 6.2NS 256FBGA

66F070

66F070

Sensata-Airpax

THERMOSTAT 70 DEG NO 8-DIP

APHHS1005CGCK

APHHS1005CGCK

Kingbright

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

ADG3308BRUZ

ADG3308BRUZ

Analog Devices

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 20TSSOP

MC9S12C128CFUE

MC9S12C128CFUE

NXP

IC MCU 16BIT 128KB FLASH 80QFP