NVMFD5853NLWFT1G
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Teilenummer | NVMFD5853NLWFT1G |
PNEDA Teilenummer | NVMFD5853NLWFT1G |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.842 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVMFD5853NLWFT1G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | NVMFD5853NLWFT1G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
NVMFD5853NLWFT1G, NVMFD5853NLWFT1G Datenblatt
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NVMFD5853NLWFT1G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Leistung - max | 3W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.9nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 915pF @ 6V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
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