NVMFD5853NLWFT1G
Nur als Referenz
Teilenummer | NVMFD5853NLWFT1G |
PNEDA Teilenummer | NVMFD5853NLWFT1G |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.842 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
NVMFD5853NLWFT1G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NVMFD5853NLWFT1G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
NVMFD5853NLWFT1G, NVMFD5853NLWFT1G Datenblatt
(Total Pages: 6, Größe: 75,77 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NVMFD5853NLWFT1G Datasheet
- where to find NVMFD5853NLWFT1G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NVMFD5853NLWFT1G
- NVMFD5853NLWFT1G PDF Datasheet
- NVMFD5853NLWFT1G Stock
- NVMFD5853NLWFT1G Pinout
- Datasheet NVMFD5853NLWFT1G
- NVMFD5853NLWFT1G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NVMFD5853NLWFT1G Price
- NVMFD5853NLWFT1G Distributor
NVMFD5853NLWFT1G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Leistung - max | 3W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V Leistung - max 34W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Renesas Electronics America Inc. Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1125pF @ 10V Leistung - max 3.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XFLGA, CSP Lieferantengerätepaket 4-WLCSP (1.82x1.82) |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™ |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.45A Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.45A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 16V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket Micro8™ |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17.5A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 13V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket Power56 |