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DMP1046UFDB-13

DMP1046UFDB-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMP1046UFDB-13
PNEDA Teilenummer DMP1046UFDB-13
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 4.464
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP1046UFDB-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP1046UFDB-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMP1046UFDB-13, DMP1046UFDB-13 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 357,05 KB)
PDFDMP1046UFDB-13 Datenblatt Cover
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  • DMP1046UFDB-13 Distributor

DMP1046UFDB-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.9nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds915pF @ 6V
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketU-DFN2020-6 (Type B)

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 6V

Leistung - max

550mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

136mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

128pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

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ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 3.8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Leistung - max

500mW

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