NSVJ2394SA3T1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NSVJ2394SA3T1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | NSVJ2394SA3T1G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC JFET N-CH LNA SC59-3 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.375 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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NSVJ2394SA3T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSVJ2394SA3T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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NSVJ2394SA3T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 15V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 32mA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 50mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 700mV @ 100µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 200mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SC-59-3/CP3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 100 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 40 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 250 Ohms Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 (TO-236AB) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 35V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 100 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
