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PN4393_D26Z

PN4393_D26Z

Nur als Referenz

Teilenummer PN4393_D26Z
PNEDA Teilenummer PN4393_D26Z
Beschreibung JFET N-CH 30V 625MW TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.732
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PN4393_D26Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPN4393_D26Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
PN4393_D26Z, PN4393_D26Z Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 282,2 KB)
PDFPN4393_D75Z Datenblatt Cover
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PN4393_D26Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 20V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id500mV @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14pF @ 20V
Widerstand - RDS (Ein)100 Ohms
Leistung - max625mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

2mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

-20°C ~ 80°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F1

PN5434

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

10 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

J112,126

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

U430-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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2SK2394-6-TB-E

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 100µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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