NGTB40N60L2WG
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| Teilenummer | NGTB40N60L2WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB40N60L2WG |
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 417W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB40N60L2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB40N60L2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB40N60L2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.61V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 417W |
| Schaltenergie | 1.17mJ (on), 280µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 228nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 98ns/213ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 73ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 167W Schaltenergie 209µJ (on), 261µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42.5ns/177ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 4V, 10A Leistung - max 107W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/4µs Testbedingung 300V, 6.5A, 1kOhm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A Leistung - max 65W Schaltenergie 360µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 74nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/115ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-94 Lieferantengerätepaket TO-3PFP |
Hersteller IXYS Serie PolarHV™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 66A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 24A Leistung - max 190W Schaltenergie 340µJ (on), 650µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/125ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
