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NGTB40N120LWG

NGTB40N120LWG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB40N120LWG
PNEDA Teilenummer NGTB40N120LWG
Beschreibung IGBT 1200V 40A TO247
Hersteller ON Semiconductor
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NGTB40N120LWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB40N120LWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB40N120LWG, NGTB40N120LWG Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 171,94 KB)
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NGTB40N120LWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)320A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 40A
Leistung - max260W
Schaltenergie5.5mJ (on), 1.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge420nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.140ns/360ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 21A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

10.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/270ns

Testbedingung

1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

230ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IXBH6N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 6A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.08µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 35A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1.6mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

300V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

FGD3050G2V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRG4RC10K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

160µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/51ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D-Pak

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