IXGR32N170H1
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| Teilenummer | IXGR32N170H1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGR32N170H1 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.506 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXGR32N170H1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGR32N170H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGR32N170H1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 38A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 21A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 10.6mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 155nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 45ns/270ns |
| Testbedingung | 1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 230ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | ISOPLUS247™ |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS247™ |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 52A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 104A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie 490µJ (on), 680µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/160ns Testbedingung 480V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max 68W Schaltenergie 215µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/220ns Testbedingung 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 25A Leistung - max 250W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 204nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
