Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NGTB03N60R2DT4G

NGTB03N60R2DT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB03N60R2DT4G
PNEDA Teilenummer NGTB03N60R2DT4G
Beschreibung IGBT 9A 600V DPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.228
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NGTB03N60R2DT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB03N60R2DT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB03N60R2DT4G, NGTB03N60R2DT4G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 593,62 KB)
PDFNGTB03N60R2DT4G Datenblatt Cover
NGTB03N60R2DT4G Datenblatt Seite 2 NGTB03N60R2DT4G Datenblatt Seite 3 NGTB03N60R2DT4G Datenblatt Seite 4 NGTB03N60R2DT4G Datenblatt Seite 5 NGTB03N60R2DT4G Datenblatt Seite 6 NGTB03N60R2DT4G Datenblatt Seite 7 NGTB03N60R2DT4G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NGTB03N60R2DT4G Datasheet
  • where to find NGTB03N60R2DT4G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NGTB03N60R2DT4G
  • NGTB03N60R2DT4G PDF Datasheet
  • NGTB03N60R2DT4G Stock

  • NGTB03N60R2DT4G Pinout
  • Datasheet NGTB03N60R2DT4G
  • NGTB03N60R2DT4G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NGTB03N60R2DT4G Price
  • NGTB03N60R2DT4G Distributor

NGTB03N60R2DT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)9A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 3A
Leistung - max49W
Schaltenergie50µJ (on), 27µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.27ns/59ns
Testbedingung300V, 3A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)65ns
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IKB10N60TATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 10A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

430µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/215ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

410µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/60ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

IRGP4740DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

520µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/73ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/450ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

IXGH40N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

DF10M

DF10M

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM

MAX6369KA-T

MAX6369KA-T

Maxim Integrated

IC WATCHDOG TIMER SOT23-8

TSM2323CX RFG

TSM2323CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23

MMA7660FCT

MMA7660FCT

NXP

ACCELEROMETER 1.5G I2C 10DFN

74HC160N,652

74HC160N,652

NXP

IC SYNC BCD DECADE COUNT 16DIP

RJH60D5BDPQ-E0#T2

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

IGBT 600V 75A 200W TO-247

MAX3224EEAP+T

MAX3224EEAP+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

FHAC0001ZXJ

FHAC0001ZXJ

Littelfuse

FUSE HLDR BLADE 32V 20A IN LINE

KT2520Y40000ECV28TBA

KT2520Y40000ECV28TBA

Kyocera

XTAL OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV

BZT52C4V3-7

BZT52C4V3-7

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123

DHRB34C102M2FB

DHRB34C102M2FB

Murata

CAP CER 1000PF 15KV RADIAL

PTN3363BSMP

PTN3363BSMP

NXP

IC DVI/HDMI LVL SHIFTER 32HVQFN