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NE68030-T1

NE68030-T1

Nur als Referenz

Teilenummer NE68030-T1
PNEDA Teilenummer NE68030-T1
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 2.700
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE68030-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68030-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68030-T1, NE68030-T1 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 901,45 KB)
PDFNE68030-T1-R45-A Datenblatt Cover
NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 2 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 3 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 4 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 5 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 6 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 7 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 8 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 9 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 10 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 11

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NE68030-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz
Gewinn5.3dB ~ 12.5dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

140mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-3

Lieferantengerätepaket

M13

2SC5006-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB @ 1GHz

Gewinn

8.3dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

61111

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

TCS1200

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.2dBd

Leistung - max

2095W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55TU-1

Lieferantengerätepaket

55TU-1

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