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NE85633-A

NE85633-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE85633-A
PNEDA Teilenummer NE85633-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Hersteller CEL
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE85633-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE85633-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE85633-A, NE85633-A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 2.238,37 KB)
PDF2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Cover
2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Seite 2 2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Seite 3 2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Seite 4 2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Seite 5 2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Seite 6 2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Seite 7 2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Seite 8 2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt Seite 9

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NE85633-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Gewinn11.5dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

30GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

JANTXV2N2857

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/343

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-72-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

BFP650

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

37GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

10.5dB ~ 21.5dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

NE68018-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

10.2dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

90mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-3

Lieferantengerätepaket

M13

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