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NE461M02-T1-QR-AZ

NE461M02-T1-QR-AZ

Nur als Referenz

Teilenummer NE461M02-T1-QR-AZ
PNEDA Teilenummer NE461M02-T1-QR-AZ
Beschreibung RF TRANS NPN 15V
Hersteller CEL
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE461M02-T1-QR-AZ Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE461M02-T1-QR-AZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE461M02-T1-QR-AZ, NE461M02-T1-QR-AZ Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 1.723,82 KB)
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NE461M02-T1-QR-AZ Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinn8.3dB
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 50mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)250mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
Lieferantengerätepaket-

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AT-41533-TR1

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 14.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

HFA3134IHZ96

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

48 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

NE68039-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

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9ZXL0831EKILF

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