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MRFE6VS25GNR1

MRFE6VS25GNR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6VS25GNR1
PNEDA Teilenummer MRFE6VS25GNR1
Beschreibung FET RF 133V 512MHZ TO-270-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.622
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MRFE6VS25GNR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6VS25GNR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFE6VS25GNR1, MRFE6VS25GNR1 Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 1.738,02 KB)
PDFMRFE6VS25GNR1 Datenblatt Cover
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MRFE6VS25GNR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz512MHz
Gewinn25.4dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest10mA
Leistung - Leistung25W
Spannung - Nennspannung133V
Paket / FallTO-270BA
LieferantengerätepaketTO-270-2 GULL

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Frequenz

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Gewinn

23dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

880W

Spannung - Nennspannung

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

2GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

1dB

Stromtest

280mA

Leistung - Leistung

29dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

29dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.9dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

Paket / Fall

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.2GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

240mA

Leistung - Leistung

16W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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