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IXZ316N60

IXZ316N60

Nur als Referenz

Teilenummer IXZ316N60
PNEDA Teilenummer IXZ316N60
Beschreibung RF MOSFET N-CHANNEL DE375
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXZ316N60 Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXZ316N60
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
IXZ316N60, IXZ316N60 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 136,63 KB)
PDFIXZ316N60 Datenblatt Cover
IXZ316N60 Datenblatt Seite 2 IXZ316N60 Datenblatt Seite 3 IXZ316N60 Datenblatt Seite 4

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IXZ316N60 Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
SerieZ-MOS™
TransistortypN-Channel
Frequenz65MHz
Gewinn23dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)18A
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung880W
Spannung - Nennspannung600V
Paket / Fall6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
LieferantengerätepaketDE375

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Hersteller

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

16dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

13A

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-

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-

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Frequenz

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Gewinn

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65W

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NI-780-2S2L

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Transistortyp

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Frequenz

500MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12.5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

USQ

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.452GHz ~ 1.511GHz

Gewinn

18.8dB

Spannungstest

31V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-1230-4L2S

Lieferantengerätepaket

OM-1230-4L2S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT539A

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