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MRF9180R6

MRF9180R6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF9180R6
PNEDA Teilenummer MRF9180R6
Beschreibung FET RF 65V 880MHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF9180R6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF9180R6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF9180R6, MRF9180R6 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 309,92 KB)
PDFMRF9180R6 Datenblatt Cover
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MRF9180R6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung170W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

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28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

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Leistung - Leistung

6.3W

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NXP USA Inc.

Serie

-

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LDMOS

Frequenz

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Gewinn

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Rauschzahl

-

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CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

12GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

70mA

Rauschzahl

0.45dB

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10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

3SK292(TE85R,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

500MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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