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NE3503M04-T2B-A

NE3503M04-T2B-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE3503M04-T2B-A
PNEDA Teilenummer NE3503M04-T2B-A
Beschreibung FET RF 4V 12GHZ M04
Hersteller CEL
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Auf Lager 7.812
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NE3503M04-T2B-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE3503M04-T2B-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE3503M04-T2B-A, NE3503M04-T2B-A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 435,91 KB)
PDFNE3503M04-T2B-A Datenblatt Cover
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NE3503M04-T2B-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypHFET
Frequenz12GHz
Gewinn12dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)70mA
Rauschzahl0.45dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung4V
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketM04

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

770W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

BLF861A,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

860MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-540A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

PTFA092201FV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.85A

Leistung - Leistung

220W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37260-2

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

15.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

360W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-3

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-3

3SK263-5-TG-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

200MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2.2dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

4-CP

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