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IXZR08N120

IXZR08N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXZR08N120
PNEDA Teilenummer IXZR08N120
Beschreibung RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 7.812
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXZR08N120 Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXZR08N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
IXZR08N120, IXZR08N120 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 160,1 KB)
PDFIXZR08N120 Datenblatt Cover
IXZR08N120 Datenblatt Seite 2 IXZR08N120 Datenblatt Seite 3 IXZR08N120 Datenblatt Seite 4

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IXZR08N120 Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
SerieZ-MOS™
TransistortypN-Channel
Frequenz65MHz
Gewinn23dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)8A
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung250W
Spannung - Nennspannung1200V
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Serie

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Frequenz

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Gewinn

12dB

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Nennstrom (Ampere)

4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

400W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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SOT502A

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

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Gewinn

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Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

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Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

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SD57045

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M243

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