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IXYH75N65C3H1

IXYH75N65C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH75N65C3H1
PNEDA Teilenummer IXYH75N65C3H1
Beschreibung IGBT 650V 170A 750W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.446
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXYH75N65C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH75N65C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH75N65C3H1, IXYH75N65C3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 231,97 KB)
PDFIXYH75N65C3H1 Datenblatt Cover
IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 2 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 3 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 4 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 5 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 6 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 7

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IXYH75N65C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)170A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 60A
Leistung - max750W
Schaltenergie2.8mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge123nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.27ns/93ns
Testbedingung400V, 60A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

59W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/94ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26A

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100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

59W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/94ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

STGB19NC60KDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

165µJ (on), 255µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/105ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

HGT1S10N120BNS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

320µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/165ns

Testbedingung

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IXBH16N170

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 16A

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Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

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Montagetyp

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Paket / Fall

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