IXBH16N170
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| Teilenummer | IXBH16N170 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXBH16N170 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1700V 40A 250W TO247AD | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 272 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 15 - Apr 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXBH16N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBH16N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBH16N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 16A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 72nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.32µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXBH) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Leistung - max 375W Schaltenergie 770µJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 287nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 58ns/328ns Testbedingung 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A Leistung - max 469W Schaltenergie 1.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 448nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/220ns Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/104ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 89ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 115A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 24A Leistung - max 270W Schaltenergie 550µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 39nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/97ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXXH) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 8A Leistung - max 125W Schaltenergie 1mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/440ns Testbedingung 800V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 |
