IXXX200N65B4
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| Teilenummer | IXXX200N65B4 |
| PNEDA Teilenummer | IXXX200N65B4 |
| Beschreibung | IGBT 650V 370A 1150W PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.932 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXXX200N65B4 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXX200N65B4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXXX200N65B4 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX4™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 370A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 1000A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 160A |
| Leistung - max | 1150W |
| Schaltenergie | 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 553nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 62ns/245ns |
| Testbedingung | 400V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 268W Schaltenergie 180µJ (on), 45µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 99nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/105ns Testbedingung 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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