IXXK160N65C4
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| Teilenummer | IXXK160N65C4 |
| PNEDA Teilenummer | IXXK160N65C4 |
| Beschreibung | IGBT 650V 290A 940W TO264 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.898 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXXK160N65C4 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXK160N65C4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXXK160N65C4 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX4™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 290A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 800A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 160A |
| Leistung - max | 940W |
| Schaltenergie | 3.5mJ (on), 1.3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 422nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 52ns/197ns |
| Testbedingung | 400V, 80A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 (IXXK) |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.16mJ (on), 470µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 79nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/93ns Testbedingung 600V, 20A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A Leistung - max 73.5W Schaltenergie 80µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12.1nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 5.4ns/25.4ns Testbedingung 400V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 15A Leistung - max 278W Schaltenergie 360µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/130ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 180W Schaltenergie 1.06mJ (on), 620µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 105ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 223A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 1000A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A Leistung - max 625W Schaltenergie 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/160ns Testbedingung 360V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads Lieferantengerätepaket 24-SMPD |
