IRG7PH35UDPBF
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| Teilenummer | IRG7PH35UDPBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IRG7PH35UDPBF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 50A 180W TO247AC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 1.715 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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IRG7PH35UDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG7PH35UDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG7PH35UDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 180W |
| Schaltenergie | 1.06mJ (on), 620µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 85nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/160ns |
| Testbedingung | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 105ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/93ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 26A Leistung - max 337W Schaltenergie 409µJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/102ns Testbedingung 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 12A Leistung - max 140W Schaltenergie 75µJ (on), 225µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/83ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 55µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/100ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 113A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 570µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/360ns Testbedingung 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
