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IXGR50N60B2

IXGR50N60B2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR50N60B2
PNEDA Teilenummer IXGR50N60B2
Beschreibung IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.480
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGR50N60B2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR50N60B2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR50N60B2, IXGR50N60B2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 511,97 KB)
PDFIXGR50N60B2D1 Datenblatt Cover
IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGR50N60B2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)68A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 40A
Leistung - max200W
Schaltenergie550µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/190ns
Testbedingung480V, 40A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

200µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/168ns

Testbedingung

960V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 16A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.97mJ (on), 790µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/336ns

Testbedingung

850V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/170ns

Testbedingung

600V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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