IXFH21N50F
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXFH21N50F |
| PNEDA Teilenummer | IXFH21N50F |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 21A TO247 |
| Hersteller | IXYS-RF |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.758 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFH21N50F Ressourcen
| Marke | IXYS-RF |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFH21N50F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFH21N50F Technische Daten
| Hersteller | IXYS-RF |
| Serie | HiPerRF™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 21A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 10.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXFH) |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0.9V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 2.5V Vgs (Max) ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70FL/MCPH3 Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
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