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IXDP35N60B

IXDP35N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXDP35N60B
PNEDA Teilenummer IXDP35N60B
Beschreibung IGBT 600V 60A 250W TO220AB
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.406
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IXDP35N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDP35N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXDP35N60B, IXDP35N60B Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 188,77 KB)
PDFIXDP35N60B Datenblatt Cover
IXDP35N60B Datenblatt Seite 2 IXDP35N60B Datenblatt Seite 3 IXDP35N60B Datenblatt Seite 4

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IXDP35N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)70A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 35A
Leistung - max250W
Schaltenergie1.6mJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung300V, 35A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

7.2mJ (on), 4.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 60A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IRGP6690DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

483W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

85ns/222ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRGPC40S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 31A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGWA50M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

880µJ (on), 1.57mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/130ns

Testbedingung

400V, 50A, 6.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

162ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

IRG7CH28UED

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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