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IRG7CH28UED

IRG7CH28UED

Nur als Referenz

Teilenummer IRG7CH28UED
PNEDA Teilenummer IRG7CH28UED
Beschreibung IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG7CH28UED Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG7CH28UED
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG7CH28UED Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie-
Eingabetyp-
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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AIHD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

370µJ (on), 530µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/183ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-313

SGL40N150DTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

86A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

195A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

800µJ (on), 1.25mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/140ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT80GA60LD40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

143A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

840µJ (on), 751µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/158ns

Testbedingung

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

430µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

Kürzlich verkauft

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STMicroelectronics

IC AMP AUDIO 3W MONO AB 16DIP

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TNY290PG

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IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP

T9AS1D12-15

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TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 15V

CDBU0130L-HF

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Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

MT29F4G01AAADDHC:D

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

LIS35DE

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ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

SHT21

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SENSOR HUMID/TEMP 3V I2C 2% SMD