IXBX50N360HV
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| Teilenummer | IXBX50N360HV |
| PNEDA Teilenummer | IXBX50N360HV |
| Beschreibung | IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.156 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBX50N360HV Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBX50N360HV |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBX50N360HV Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 125A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 420A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 660W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 46ns/205ns |
| Testbedingung | 960V, 50A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.7µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | TO-247PLUS-HV |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall 36-DIP Module, 24 Leads Lieferantengerätepaket DIP 36x23D |
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