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IKD06N60RAATMA1

IKD06N60RAATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKD06N60RAATMA1
PNEDA Teilenummer IKD06N60RAATMA1
Beschreibung IGBT 600V 12A TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IKD06N60RAATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD06N60RAATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD06N60RAATMA1, IKD06N60RAATMA1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 2.388,89 KB)
PDFIKD06N60RAATMA1 Datenblatt Cover
IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 2 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 3 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 4 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 5 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 6 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 7 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 8 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 9 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 10 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 11

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IKD06N60RAATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6A
Leistung - max100W
Schaltenergie110µJ (on), 220µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge48nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/127ns
Testbedingung400V, 6A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)68ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 8A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

2.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

26.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/600ns

Testbedingung

800V, 8A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

800A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

3.5mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

422nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/197ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

19A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

38A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

120µJ (on), 2.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/540ns

Testbedingung

480V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/110ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

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-

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