IXGR50N60B
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| Teilenummer | IXGR50N60B |
| PNEDA Teilenummer | IXGR50N60B |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.372 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGR50N60B Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGR50N60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGR50N60B Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 50ns/110ns |
| Testbedingung | 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | ISOPLUS247™ |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS247™ |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 24A Leistung - max 190W Schaltenergie 190µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/70ns Testbedingung 400V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 30A Leistung - max 394W Schaltenergie 630µA (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/200ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 94W Schaltenergie 132µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17.8ns/81.6ns Testbedingung 400V, 10A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 274ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF-3 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A Leistung - max 51W Schaltenergie 230µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/54ns Testbedingung 300V, 10A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 130ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
