IXBH9N160G
Nur als Referenz
Teilenummer | IXBH9N160G |
PNEDA Teilenummer | IXBH9N160G |
Beschreibung | IGBT 1600V 9A 100W TO247AD |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.516 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IXBH9N160G Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXBH9N160G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IXBH9N160G Datasheet
- where to find IXBH9N160G
- IXYS
- IXYS IXBH9N160G
- IXBH9N160G PDF Datasheet
- IXBH9N160G Stock
- IXBH9N160G Pinout
- Datasheet IXBH9N160G
- IXBH9N160G Supplier
- IXYS Distributor
- IXBH9N160G Price
- IXBH9N160G Distributor
IXBH9N160G Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | BIMOSFET™ |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 9A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 10A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 7V @ 15V, 5A |
Leistung - max | 100W |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 34nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
Testbedingung | 960V, 5A, 27Ohm, 10V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXBH) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 69A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A Leistung - max 417W Schaltenergie 500µJ (on), 438µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/70ns Testbedingung 600V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.29mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/291ns Testbedingung 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 305W Schaltenergie 490µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/175ns Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 52ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie 160µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/165ns Testbedingung 400V, 10A, 32Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 53ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A Leistung - max 312W Schaltenergie 4.1mJ (on), 960µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/190ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |