IXBH9N160G Datenblatt
IXBH9N160G Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXBH9N160G
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 5A Leistung - max 100W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 960V, 5A, 27Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
