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ITC1100

ITC1100

Nur als Referenz

Teilenummer ITC1100
PNEDA Teilenummer ITC1100
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.622
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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ITC1100 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerITC1100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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ITC1100 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang1.03GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn10dB ~ 10.5dB
Leistung - max3400W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55SW
Lieferantengerätepaket55SW

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

13dB ~ 7.5dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 7mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

2N5770_D26Z

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MS2267

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 8.7dB

Leistung - max

575W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M214

Lieferantengerätepaket

M214

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-343F

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