2SC5095-R(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SC5095-R(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5095-R-TE85L-F |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.232 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC5095-R(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5095-R(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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2SC5095-R(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
| Gewinn | 13dB ~ 7.5dB |
| Leistung - max | 100mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 7mA, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15mA |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn 6.5dB ~ 12.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
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