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IS61VPD51236A-250B3

IS61VPD51236A-250B3

Nur als Referenz

Teilenummer IS61VPD51236A-250B3
PNEDA Teilenummer IS61VPD51236A-250B3
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61VPD51236A-250B3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61VPD51236A-250B3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61VPD51236A-250B3, IS61VPD51236A-250B3 Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 552,91 KB)
PDFIS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Cover
IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 2 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 3 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 4 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 5 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 6 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 7 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 8 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 9 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 10 IS61VPD51236A-250B3I Datenblatt Seite 11

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IS61VPD51236A-250B3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit2.6ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-TBGA
Lieferantengerätepaket165-PBGA (13x15)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Omneo™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

PCM (PRAM)

Technologie

PCM (PRAM)

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel, SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

135ns

Zugriffszeit

135ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP (18.4x14)

25LC160BT-E/MS

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

AS6C6264-55STCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-sTSOP

CAT34C02HU4IGT4A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-UDFN-EP (2x3)

STK15C88-NF45I

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

28-SOIC

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