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NP8P128AE3TSM60E

NP8P128AE3TSM60E

Nur als Referenz

Teilenummer NP8P128AE3TSM60E
PNEDA Teilenummer NP8P128AE3TSM60E
Beschreibung IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 4.302
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NP8P128AE3TSM60E Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNP8P128AE3TSM60E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
NP8P128AE3TSM60E, NP8P128AE3TSM60E Datenblatt (Total Pages: 86, Größe: 2.598,83 KB)
PDFNP8P128AE3T1760E Datenblatt Cover
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NP8P128AE3TSM60E Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieOmneo™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatPCM (PRAM)
TechnologiePCM (PRAM)
Speichergröße128Mb (16M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel, SPI
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite135ns
Zugriffszeit135ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket56-TSOP (18.4x14)

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-TFBGA (6.4x10.1)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-UDFN (6x4.9)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LQFP

Lieferantengerätepaket

64-TQFP (14x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (2M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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