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IRLZ44ZSTRRPBF

IRLZ44ZSTRRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRLZ44ZSTRRPBF
PNEDA Teilenummer IRLZ44ZSTRRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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IRLZ44ZSTRRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLZ44ZSTRRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRLZ44ZSTRRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1620pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)80W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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APT5SM170S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 1000V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

PSMN2R6-60PSQ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7629pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

326W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

STB40NF20

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FCU600N65S3R0

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

240V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

270mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

76.8pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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