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APT5SM170S

APT5SM170S

Nur als Referenz

Teilenummer APT5SM170S
PNEDA Teilenummer APT5SM170S
Beschreibung MOSFET N-CH 700V D3PAK
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.196
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Voraussichtliche Lieferung Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT5SM170S Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT5SM170S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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APT5SM170S Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1700V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 20V
Vgs (Max)+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 1000V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)52W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD3Pak
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRLS4030-7PPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

190A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 110A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11490pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK (7-Lead)

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

DMP3018SFVQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2147pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8 (Type UX)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

FDB110N15A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

92A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 92A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4510pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

234W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMT43M8LFV-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

87A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3213pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.25W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

RE1J002YNTCL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0.9V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

EMT3F (SOT-416FL)

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Kürzlich verkauft

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FIXED IND 4.7UH 5.5A 40 MOHM SMD

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DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

PBRC4.00HR50X000

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

74HC573D

74HC573D

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IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC

744230900

744230900

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CMC 550MA 2LN 90 OHM SMD

NC7SZ32P5X

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