IRLR3636TRLPBF
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| Teilenummer | IRLR3636TRLPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRLR3636TRLPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.778 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLR3636TRLPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLR3636TRLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRLR3636TRLPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3779pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 143W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 58W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9670pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1135W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264 [L] Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
