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IXGH10N300

IXGH10N300 IXGH10N300

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH10N300
PNEDA Teilenummer IXGH10N300
Beschreibung IGBT 3000V 18A 100W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.916
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IXGH10N300 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH10N300
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH10N300, IXGH10N300 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 226,91 KB)
PDFIXGH10N300 Datenblatt Cover
IXGH10N300 Datenblatt Seite 2 IXGH10N300 Datenblatt Seite 3 IXGH10N300 Datenblatt Seite 4 IXGH10N300 Datenblatt Seite 5

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IXGH10N300 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5.2V @ 15V, 30A
Leistung - max100W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 6A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

20nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/250ns

Testbedingung

1360V, 6A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRGP20B120U-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.85V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

850µJ (on), 425µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

169nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

STGD3HF60HDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

19µJ (on), 12µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/60ns

Testbedingung

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

IKA03N120H2XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.2A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

29W

Schaltenergie

290µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

8.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.2ns/281ns

Testbedingung

800V, 3A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

52ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

2.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

123nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/93ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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