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IRGIB10B60KD1P

IRGIB10B60KD1P

Nur als Referenz

Teilenummer IRGIB10B60KD1P
PNEDA Teilenummer IRGIB10B60KD1P
Beschreibung IGBT 600V 16A 44W TO220FP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.516
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRGIB10B60KD1P Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGIB10B60KD1P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGIB10B60KD1P Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)32A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A
Leistung - max44W
Schaltenergie156µJ (on), 165µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge41nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/180ns
Testbedingung400V, 10A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)79ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220AB Full-Pak

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

2mJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

196nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/123ns

Testbedingung

600V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

FGH60T65SHD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1.69mJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/87ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34.6ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

NGTB15N120FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

294W

Schaltenergie

1.2mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/132ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXGM30N60

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/500ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AE

Lieferantengerätepaket

TO-204AE

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