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IXGK50N120C3H1

IXGK50N120C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGK50N120C3H1
PNEDA Teilenummer IXGK50N120C3H1
Beschreibung IGBT 1200V 95A 460W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.768
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Voraussichtliche Lieferung Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGK50N120C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGK50N120C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGK50N120C3H1, IXGK50N120C3H1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 219,67 KB)
PDFIXGK50N120C3H1 Datenblatt Cover
IXGK50N120C3H1 Datenblatt Seite 2 IXGK50N120C3H1 Datenblatt Seite 3 IXGK50N120C3H1 Datenblatt Seite 4 IXGK50N120C3H1 Datenblatt Seite 5 IXGK50N120C3H1 Datenblatt Seite 6

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IXGK50N120C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)95A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.2V @ 15V, 40A
Leistung - max460W
Schaltenergie2mJ (on), 630µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge196nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/123ns
Testbedingung600V, 40A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXGK)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG4RC20FTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

66W

Schaltenergie

190µJ (on), 920µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/194ns

Testbedingung

480V, 12A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

105W

Schaltenergie

236µJ (on), 290µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/118ns

Testbedingung

800V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

320µJ (on), 356µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/44ns

Testbedingung

300V, 15A, 13Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

-

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-40°C ~ 175°C (TJ)

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