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IRG7PK42UD1-EPBF

IRG7PK42UD1-EPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG7PK42UD1-EPBF
PNEDA Teilenummer IRG7PK42UD1-EPBF
Beschreibung IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.280
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG7PK42UD1-EPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG7PK42UD1-EPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG7PK42UD1-EPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie-
Eingabetyp-
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

RGPR10BM40FHTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

460V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.0V @ 5V, 10A

Leistung - max

107W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

500ns/4µs

Testbedingung

300V, 8A, 100Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 75°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

APT50GF120B2RG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

Leistung - max

781W

Schaltenergie

3.6mJ (on), 2.64mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/260ns

Testbedingung

800V, 50A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

SGP23N60UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

115µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/60ns

Testbedingung

300V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

ISL9V5036S3ST_SB82026C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/10.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

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