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IRFI7536GPBF

IRFI7536GPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFI7536GPBF
PNEDA Teilenummer IRFI7536GPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 103A TO220
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.734
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IRFI7536GPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFI7536GPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFI7536GPBF, IRFI7536GPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 334,99 KB)
PDFIRFI7536GPBF Datenblatt Cover
IRFI7536GPBF Datenblatt Seite 2 IRFI7536GPBF Datenblatt Seite 3 IRFI7536GPBF Datenblatt Seite 4 IRFI7536GPBF Datenblatt Seite 5 IRFI7536GPBF Datenblatt Seite 6 IRFI7536GPBF Datenblatt Seite 7 IRFI7536GPBF Datenblatt Seite 8 IRFI7536GPBF Datenblatt Seite 9

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IRFI7536GPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.86A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs195nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6600pF @ 48V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)75W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220 Full Pack
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

780W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

TK40P03M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DP

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STW11NK100Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.38Ohm @ 4.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

162nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IPB020N04NGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 95µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9700pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-7-3

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IRF610S

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

FPF2125

FPF2125

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH ADVANCED SOT23

B39162B4300F210

B39162B4300F210

Qualcomm

FILTER SAW 1.575GHZ 5SMD

AT45DB041B-SI

AT45DB041B-SI

Microchip Technology

IC FLASH 4M SPI 20MHZ 8SOIC

W25X20CLSNIG

W25X20CLSNIG

Winbond Electronics

IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC

BAS516,115

BAS516,115

Nexperia

DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

Z8F1621AN020SG

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Zilog

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 44QFP

BK0603HS330-T

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Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 33 OHM 0201 1LN

ADP1755ACPZ-R7

ADP1755ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 1.2A 16LFCSP

L7905CV-DG

L7905CV-DG

STMicroelectronics

IC REG LINEAR -5V 1.5A TO220

HSMS-285C-TR1G

HSMS-285C-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT323

1N4148W-7-F

1N4148W-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD123

4610X-101-102LF

4610X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 1K OHM 10SIP