Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AON7210

AON7210

Nur als Referenz

Teilenummer AON7210
PNEDA Teilenummer AON7210
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.714
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AON7210 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON7210
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AON7210 Datasheet
  • where to find AON7210
  • Alpha & Omega Semiconductor

  • Alpha & Omega Semiconductor AON7210
  • AON7210 PDF Datasheet
  • AON7210 Stock

  • AON7210 Pinout
  • Datasheet AON7210
  • AON7210 Supplier

  • Alpha & Omega Semiconductor Distributor
  • AON7210 Price
  • AON7210 Distributor

AON7210 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2380pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)6.2W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-DFN-EP (3.3x3.3)
Paket / Fall8-PowerWDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10.5nF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

735W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

DMN3033LSNQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

755pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-59

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STP13NK60Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2030pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

SPI07N60C3HKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3-1

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

TK20P04M1,RQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

985pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

ATXMEGA64A3U-AU

ATXMEGA64A3U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 64KB FLASH 64TQFP

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

4608X-102-332LF

4608X-102-332LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SIP

ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8MSOP

MAX15301AA02+CJK

MAX15301AA02+CJK

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK PMBUS 32TQFN

EC3SA-12S15N

EC3SA-12S15N

Cincon Electronics Co. LTD

ISOLATED DC/DC CONVERTERS 2.31-3

LT1167ACS8#PBF

LT1167ACS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SO

SMCJ36A

SMCJ36A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 36V 58.1V SMC

HDLO-3416

HDLO-3416

Broadcom

DISPLAY 5X7 0.27"" 4CHAR RED

CRA2512-FZ-R020ELF

CRA2512-FZ-R020ELF

Bourns

RES 0.02 OHM 1% 3W 2512

BK/HTB-42I-R

BK/HTB-42I-R

Eaton - Electronics Division

FUSE HLDR CART 250V 20A PNL MNT