Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

GWM160-0055P3

GWM160-0055P3

Nur als Referenz

Teilenummer GWM160-0055P3
PNEDA Teilenummer GWM160-0055P3
Beschreibung MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.100
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GWM160-0055P3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGWM160-0055P3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
GWM160-0055P3, GWM160-0055P3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 233,98 KB)
PDFGWM160-0055P3 Datenblatt Cover
GWM160-0055P3 Datenblatt Seite 2 GWM160-0055P3 Datenblatt Seite 3 GWM160-0055P3 Datenblatt Seite 4 GWM160-0055P3 Datenblatt Seite 5 GWM160-0055P3 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • GWM160-0055P3 Datasheet
  • where to find GWM160-0055P3
  • IXYS

  • IXYS GWM160-0055P3
  • GWM160-0055P3 PDF Datasheet
  • GWM160-0055P3 Stock

  • GWM160-0055P3 Pinout
  • Datasheet GWM160-0055P3
  • GWM160-0055P3 Supplier

  • IXYS Distributor
  • GWM160-0055P3 Price
  • GWM160-0055P3 Distributor

GWM160-0055P3 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.160A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallISOPLUS-DIL™
LieferantengerätepaketISOPLUS-DIL™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTHD5905T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

SI4340DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A, 9.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.14W, 1.43W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

BUK9K6R2-40E,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3281pF @ 25V

Leistung - max

68W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

DMP2160UFDBQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

536pF @ 10V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

US6M2GTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V, 150pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

TUMT6

Kürzlich verkauft

MAX16025TE+

MAX16025TE+

Maxim Integrated

IC SUPERVISORY CIRC DL 16TQFN

S2G-13-F

S2G-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

MP3V5004GP

MP3V5004GP

NXP

IC PRESSURE SENSOR 8-SOP

SI7114DN-T1-E3

SI7114DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

LDK120M32R

LDK120M32R

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 3.2V 200MA SOT23-5

AT32UC3C1256C-AUT

AT32UC3C1256C-AUT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100TQFP

0467.750NR

0467.750NR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 750MA 32VAC/VDC

USB2514B-AEZC

USB2514B-AEZC

Microchip Technology

IC USB 2.0 4PORT HUB CTLR 36QFN

S29GL256P11FFIV10

S29GL256P11FFIV10

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

MCR22-8G

MCR22-8G

ON Semiconductor

THYRISTOR SCR 1.5A 600V TO-92

SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

MAX31865ATP+

MAX31865ATP+

Maxim Integrated

IC RTD TO DIGITAL CONVERT 20QFN