Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

GWM120-0075P3-SMD SAM

GWM120-0075P3-SMD SAM

Nur als Referenz

Teilenummer GWM120-0075P3-SMD SAM
PNEDA Teilenummer GWM120-0075P3-SMD-SAM
Beschreibung MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.002
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GWM120-0075P3-SMD SAM Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGWM120-0075P3-SMD SAM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
GWM120-0075P3-SMD SAM, GWM120-0075P3-SMD SAM Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 208,49 KB)
PDFGWM120-0075P3-SMD Datenblatt Cover
GWM120-0075P3-SMD Datenblatt Seite 2 GWM120-0075P3-SMD Datenblatt Seite 3 GWM120-0075P3-SMD Datenblatt Seite 4 GWM120-0075P3-SMD Datenblatt Seite 5 GWM120-0075P3-SMD Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • GWM120-0075P3-SMD SAM Datasheet
  • where to find GWM120-0075P3-SMD SAM
  • IXYS

  • IXYS GWM120-0075P3-SMD SAM
  • GWM120-0075P3-SMD SAM PDF Datasheet
  • GWM120-0075P3-SMD SAM Stock

  • GWM120-0075P3-SMD SAM Pinout
  • Datasheet GWM120-0075P3-SMD SAM
  • GWM120-0075P3-SMD SAM Supplier

  • IXYS Distributor
  • GWM120-0075P3-SMD SAM Price
  • GWM120-0075P3-SMD SAM Distributor

GWM120-0075P3-SMD SAM Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.118A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall17-SMD, Gull Wing
LieferantengerätepaketISOPLUS-DIL™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIZ700DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V

Leistung - max

2.36W, 2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-PowerPair™

Lieferantengerätepaket

6-PowerPair™

SH8M3TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

ALD212908SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMC62D0SVQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V, 50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

571mA (Ta), 304mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V, 26pF @ 25V

Leistung - max

510mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

FW344A-TL-2W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Kürzlich verkauft

VLMS1300-GS08

VLMS1300-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED RED 0603 SMD

FHAC0001ZXJ

FHAC0001ZXJ

Littelfuse

FUSE HLDR BLADE 32V 20A IN LINE

7447709220

7447709220

Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 5.3A 28 MOHM SMD

AD9745BCPZRL

AD9745BCPZRL

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 72LFCSP

AD8250ARMZ-RL

AD8250ARMZ-RL

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

STPS2H100U

STPS2H100U

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB

ST3485EBDR

ST3485EBDR

STMicroelectronics

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SO

DG212BDY

DG212BDY

Vishay Siliconix

IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

XC7Z020-1CLG400C

XC7Z020-1CLG400C

Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 667MHZ 400BGA

PIC32MX340F512H-80I/PT

PIC32MX340F512H-80I/PT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP

LM2901DR2G

LM2901DR2G

ON Semiconductor

IC COMP QUAD SGL SUPPLY 14SOIC