FP40R12KT3GBOSA1
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| Teilenummer | FP40R12KT3GBOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FP40R12KT3GBOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.716 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FP40R12KT3GBOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FP40R12KT3GBOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FP40R12KT3GBOSA1, FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt
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FP40R12KT3GBOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 55A |
| Leistung - max | 210W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 401A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 275A Leistung - max 1400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Leistung - max 390W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.7nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 34 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 34 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 130A Leistung - max 445W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800A Leistung - max 20mW Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 25nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
